产品型号:NBD-PECVD1200-80TI
负责人:周贝贝
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手机:13526881466
设备简介:
该产品是由固态等离子源、气体质子流量控制系统、衬底控温系统、真空系统组成，采用集中总线控制技术的操作软件。适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料，适合于有机材料上保护层膜和温度下无损伤钝化膜的沉积。
配置详情:
| 1. 清洗镀膜一气呵成，杜绝二次污染； 2. 上开启式结构，方便观察试样； 3. 产品采用全自动控制方式，触摸屏，数字化显示； 4. 设备一体化程度高； 5. 射频电源，均匀的温度分布，提高成膜质量； | |||||||||
产品型号 | NBD-PECVD1200-80TI | |||||||||
电气规格 | AC220V 4KW | |||||||||
可达温度 | 1200 ℃ | |||||||||
连续温度 | 1150 ℃ | |||||||||
可达加热速率 | ≤ 20 ℃/分钟 | |||||||||
射频电源 | 500W 13.56MHz | |||||||||
炉管尺寸 | Φ80*1200mm | |||||||||
| 沉积示意图 |
| 如图所示：此为该设备沉积过程中的示意图 | ||||||||
控制系统 |
| 1.NBD-101EP嵌入式操作系统中英文互换图形界面，7寸真彩触屏输入，智能式人机对话模式，实时加热功率显示，非线性式样温度修正；实验报告自主生成，实验数据无限次导出。 2.实验过程直观，操作便捷； 3.具有超温报警、断偶提示、漏电保护等功能。 | ||||||||
温度精度 | +/- 1 ℃ | |||||||||
加热元件 |
| Mo掺杂的Fe-Cr-Al合金 | ||||||||
密封系统 |
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真空度：≤10Pa（机械泵） | ||||||||||
压力测量与监控 |
| 采用数显真空计，可使设备真空度直观，实验结果准确。 | ||||||||
供气系统 | | 采用两路质子流量计准确控制气体流速，与设备集成为一体； | ||||||||
净重 | 360KG | |||||||||
设备使用注意事项 | 1. 设备炉膛温度≥300℃时，禁止打开炉膛，避免受到伤害； 2. 设备使用时，炉管内压力不得超过0.125MPa，以防止压力过大造成设备损坏； 3. 真空下使用时，设备使用温度不得超过800℃。 4. 供气钢瓶内部气压较高，向炉管内通入气体时，气瓶上须安装减压阀，建议在选购试验用小压力减压阀，减压阀量程为0.01MPa-0.15MPa,使用时会准确安全。 5.当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压 相当，保持在常压状态； 6.高纯石英管的长时间使用温度≦1100℃ 7.加热的实验时，不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热，则需时刻关注压力表的示数，若气压表示数大于0.02MPa，须立刻打开排气端阀门，以防意外发生（如炉 管破裂，法兰飞出等） | |||||||||
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